泵閥商務網
詳細介紹
中國臺灣達眾DACHUNG電磁閥
元素半導體。元素半導體是指單一元素構成的半導體，其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體材料，容易受到微量雜質和外界條件的影響而發生變化。目前， 只有硅、鍺性能好，運用的比較廣，硒在電子照明和光電領域中應用。硅在半導體工業中運用的多，這主要受到二氧化硅的影響，能夠在器件制作上形成掩膜，能夠提高半導體器件的穩定性，利于自動化工業生產。
功率分配器的技術指標包括頻率范圍、承受功率、主路到支路的分配損耗、輸入輸出間的插入損耗、支路端口間的隔離度、每個端口的電壓駐波比等。
1、頻率范圍。這是各種射頻/微波電路的工作前提，功率分配器的設計結構與工作頻率密切相關。必須首先明確分配器的工作頻率，才能進行下面的設計
2、承受功率。在大功率分配器/合成器中，電路元件所能承受的大功率是核心指標，它決定了采用什么形式的傳輸線才能實現設計任務。一般地，傳輸線承受功率由小到大的次序是微帶線、帶狀線、同軸線、空氣帶狀線、空氣同軸線，要根據設計任務來選擇用何種線。
3、分配損耗。主路到支路的分配損耗實質上與功率分配器的功率分配比有關。如兩等分功率分配器的分配損耗是3dB，四等分功率分配器的分配損耗是6dB。
4、插入損耗。輸入輸出間的插入損耗是由于傳輸線（如微帶線）的介質或導體不理想等因素，考慮輸入端的駐波比所帶來的損耗。
5、隔離度。支路端口間的隔離度是功率分配器的另一個重要指標。如果從每個支路端口輸入功率只能從主路端口輸出，而不應該從其他支路輸出，這就要求支路之間有足夠的隔離度。
6、駐波比。每個端口的電壓駐波比越小越好。
中國臺灣達眾DACHUNG電磁閥
CV-03G-05 CV-03G-50 CV-06G-05
CV-06G-50 CV-10G-05 CV-10G-50
CRNG-03G-05 CRNG-03G-50 CRNG-06G-05
CRNG-06G-50 CRNG-10G-05 CRNG-10G-50
CIT-03-05 CIT-03-50 CIT-04-05
CIT-04-50 CIT-06-05 CIT-06-50
CIT-08-05 CIT-08-50 CIT-10-05
CIT-10-50 CIT-12-05 CIT-12-50
CIT-16-05 CIT-16-50
WDHE-0610 WDHE-0611 WDHE-0612 WDHE-0613
WDHE-0614 WDHE-0615 WDHE-0616 WDHE-0717
WDHE-0618/A WDHE-06119 WDHE-06139 WDHE-06158
WDHE-06191 WDHE-06193/A WDHE-0630 WDHE-0631/2A-220AC
WDHE-0631/2/A/24DC WDHE-0632 WDHE-0633 WDHE-0634
WDHE-0635/A WDHE-0636 WDHE-0717 WDHE-0638
WDHE-06319 WDHE-06339 WDHE-06358 WDHE-06391
WDHE-06393 WDHE-0670 WDHE-0671 WDHE-0672
WDHE-0673 WDHE-0674 WDHE-0675 WDHE-0676
泵閥商務網